Fa'asao Pulea Thyristor (ituaiga Alloying)

Fa'amatalaga:

Thyristor, lea e lauiloa foi o le Silicon Control Rectifier (SCR), o se masini semiconductor maualuga-mamana e aofia ai fausaga PN e tolu.I le tulaga o le faatinoga, o le thyristor e le gata e i ai le unidirectional conductivity, ae e sili atu ona taua le pulea nai lo le silicon rectifier elemene, lea e na o le lua setete o le conduction ma ese-setete, e pulea le mana tele ma le mana itiiti, faʻateleina le mana e oʻo atu i le selau po o. faafia afe.O le tali e matua vave lava, ki ma tape i micro-sekona.Le fa'afeso'ota'i fa'agaioiga, leai ni aloiafi, leai se pisa, a'o maualuga le lelei ma tau maualalo.O le mea lea, aemaise lava i le faʻaogaina o le eletise maualuga, thyristor ua faʻaaogaina lautele i le rectifier circuit, static bypass switch, faʻafesoʻotaʻi-leai se galuega ki ma isi matagaluega.

O le thyristor gaosiga tulaga ma le gaosiga o tekinolosi a RUNAU Electronics na faʻalauiloaina mai Amerika talu mai le 1980s, i le avea ai o se paionia o le gaosiga o thyristor i Saina, o le au faʻapitoa a RUNAU na mauaina le poto sili atu ma le tele o le gaosiga o le poto masani mo le sili atu i le 30 tausaga.I luga o le faʻavae o le gaosiga masani, o le au talenia a RUNAU Electronics na atiina ae le tekinolosi faʻatekonolosi i le gaosiga o le thyristor faʻatasi ai ma tulaga lelei o oloa a Europa, o le lelei ma le faʻatinoga o loʻo faʻaleleia atili, sili atu manumalo tele na maua i le faʻaaogaina o eletise eletise. fanua, ma sili atu le taua na faia mo paaga.

Folasaga:

1. Chip

O le thyristor chip na gaosia e le RUNAU Electronics o lo'o fa'aogaina le fa'aogaina o tekonolosi fa'aogaina.O le silicon ma molybdenum wafer sa sintered mo alloying e alumini mama (99.999%) i lalo o le vevela maualuga ma le siosiomaga vevela maualuga.O le faʻatonutonuina o uiga sintering o le mea taua lea e aʻafia ai le lelei o le thyristor.O le tomai o le RUNAU Electronics i le faʻaopoopoga i le puleaina o le loloto o le fesoʻotaʻiga uʻamea, mafolafola o luga, o le gaogao uʻamea faʻapea foʻi le tomai faʻasalalau atoa, faitotoʻa tutotonu, mamanu liʻo mama na faʻaogaina ina ia mafai ai ona faʻatuatuaina ma maualuga le faʻaogaina o le thyristor, ina ia mafai ai. faʻamautinoa le maualuga o le faʻatinoga.

2. Encapsulation

E ala i le pulea lelei o le mafolafola ma le tutusa o le molybdenum wafer ma le afifi i fafo, o le pu ma le molybdenum wafer o le a tuʻufaʻatasia ma le afifi fafo ma le atoatoa.O ia mea o le a sili ona lelei le teteʻe o le siʻitia o le taimi nei ma le maualuga o le taʻavale puʻupuʻu.Ma o le fuaina o le eletise eletise eletise na faʻaaogaina e fatu ai se ata alumini mafiafia i luga o le silicon wafer surface, ma o le ruthenium layer e faʻapipiʻiina i luga o le molybdenum o le a faʻaleleia atili ai le malosi o le vaivai o le vevela, o le a faʻateleina le taimi o galuega o le thyristor.

Fa'amatalaga fa'apitoa

1. Fa'asao fa'atonu thyristor fa'atasi ai ma va'aiga tu'aiga u'amea na gaosia e le RUNAU Electronics, vaega ole I_TAVmai le 300A i le 6000A ma le V_DRM/V_RRMmai le 800V i le 4400V.
2. I_GT, V_GTma a'u_Ho tau su'ega i le 25 ℃, se'i vagana ua ta'ua, o isi ta'iala uma o tau su'ega i lalo o le T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal afa galu lautele lautele o lo'o iai nei.I le 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. I le 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: